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采用光谱增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数（阱数、腔长和反射率等）之间的依赖关系，描述了微腔激光器中的自发辐射增强效应，比较了三维理想封闭腔与普通开腔中的特性曲线这将对于VCSELs的理论研究和优化器件结构有所裨益。