论文部分内容阅读
中子发生器主要由离子源、加速系统和靶等组成.当D+离子束轰击靶时,产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电源负荷加重,靶压下降,从而影响中子产额,因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流.本文讨论了中子发生器中二次电子流的产生机制,并讨论了几种抑制方法.模拟计算表明,在法拉第圆筒的基础上加上电场抑制,能很好地抑制二次电子流的产生.