【摘 要】
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本文用Si(100)基片做衬底,1:1的三聚氯氰和三聚氰胺的乙腈饱和溶液为电解液,在常温常压下用电化学的方法沉积了CN薄膜,并在500℃、N气氛下对其做了热处理.用X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)、X射线衍射图谱(XRD)对沉积的CN薄膜进行了测试和分析.XPS结果表明沉积的CN薄膜的w(N)/w(C)为0.9左右,氮是以SP和SP杂化形式与碳成键.FTIR表明碳和氮主要
【机 构】
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北京理工大学材料科学研究中心(北京)
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本文用Si(100)基片做衬底,1:1的三聚氯氰和三聚氰胺的乙腈饱和溶液为电解液,在常温常压下用电化学的方法沉积了CN<,x>薄膜,并在500℃、N<,2>气氛下对其做了热处理.用X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)、X射线衍射图谱(XRD)对沉积的CN<,x>薄膜进行了测试和分析.XPS结果表明沉积的CN<,x>薄膜的w(N)/w(C)为0.9左右,氮是以SP<2>和SP<3>杂化形式与碳成键.FTIR表明碳和氮主要以C—N、C—C、C═C和C═N形式成键,有少量的碳和氮以C≡N的形式成键.XRD测试显示,热处理后的CN<,x>薄膜中有类石墨相的C<,3>N<,4>晶体的存在.
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