【摘 要】
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无结纳米线器件在其源/漏端以及沟道为均匀掺杂,制造流程简单,具有近乎理想的亚阈值摆幅以及极小的泄漏电流,是纳米尺度条件下传统MOS器件的最佳继承者之一.本文通过引入不完
【机 构】
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西北工业大学计算机学院,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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无结纳米线器件在其源/漏端以及沟道为均匀掺杂,制造流程简单,具有近乎理想的亚阈值摆幅以及极小的泄漏电流,是纳米尺度条件下传统MOS器件的最佳继承者之一.本文通过引入不完全离化效应对环栅无结纳米线场效应晶体管基本模型进行修正,建立考虑温度效应的精准模型,研究环栅无结纳米线晶体管在不同温度下所表现的电气特性.研究结果表明,随着温度升高,环栅无结纳米线晶体管的功函数差减小使得沟道内载流子耗尽程度减弱,阈值电压随温度升高而减小.
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