LIGBT相关论文
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介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT).一方面,覆盖在硅表面的高介电常数......
提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT，并对其进行了实验研究．粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较，该......
提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT），该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区，在......
作为电力电子技术的核心,功率半导体器件在电能的控制、变换和调节中有着至关重要的作用。横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insula......
介绍了基于共享Buffer技术的SOI（绝缘体上硅）LIGBT和PLDMOS,相对于传统工艺可以节约2层光刻板和2步工艺流程。主要通过研究在器件漏......
横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,简称LIGBT)具有导通电压低、输入阻抗高、电流能力强、耐压......
静电放电(ESD,Electrostatic Discharge)是影响集成电路可靠性的原因之一。所以需要对集成电路进行有效的ESD防护。本文先对基本的......
电力电子技术是国家安全领域和国民经济的重要支撑技术。它将一种形式的电能高效地转换成另外一种形式的电能,从而满足应用于各种......
LIGBT作为一类重要的栅控双极功率器件,既具有MOSFET的控制功率小、输入阻抗高、驱动电路简单、开关速度高的优点,又有双极型功率......
绝缘栅双极晶体管IGBT (Insulator Gate Bipolar Transistor)是MOS栅器件结构与双极晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件,具......
PDP(Plasma Display Panel:等离子体显示平板)作为新一代显示技术,以其响应速度快,宽屏显示及图像分辨率高等优点,成为显示技术领......
