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为了研究SiC基体设计对C/SiC复合材料热物理性能的影响,本文采用化学气相渗透工艺结合有机前驱体浸渍裂解工艺制备SiC基体,通过两种工艺在C/SiC复合材料中制备不同比例的SiC基体,分析其对C/SiC复合材料热物理性能的影响.结果表明:随着CVI-SiC基体含量的提高,C/SiC复合材料的室温热导率明显提高;而RT-450℃范围内,CVI-SiC基体的含量对C/SiC复合材料的热膨胀系数的影响甚微.