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随着应用终端需求的加强和能效要求的不断提升,对功率器件性能的要求也不断提升。于此同时也推进了器件结构的不断发展,带来了功率器件从平面结构向沟槽结构发展。目前国内功率器件晶圆厂商也开始进行沟槽器件的开发,但是由于设备能力的限制沟槽的形貌并不能满足器件结构的要求。作者通过工艺、器件仿真确定了沟槽优化的可行性。通过优化沟槽工艺流程对沟槽形貌进行调整,同时采用局部氧化的方式对现有的工艺流程进行了优化,在现有设备的基础上完成了形貌的优化。通过沟槽形貌的优化提升了器件制作的良率和参数水平。