沟槽刻蚀相关硕士博士期刊学术论文

用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体......

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与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(......

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随着现代技术的快速发展,沟槽刻蚀工艺也在实践中不断的发展,本文主要探讨了刻蚀方法,并针对其中主要问题进行深入分析,旨在促进我......

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沟槽刻蚀刻蚀方法形貌控制

随着应用终端需求的加强和能效要求的不断提升,对功率器件性能的要求也不断提升。于此同时也推进了器件结构的不断发展,带来了功率......

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沟槽刻蚀形貌优化功率器件器件仿真

介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC......

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