铝酸盐荧光材料的微结构和掺杂缺陷引起晶格畸变

来源 :1998年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ysminnpu
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该文对以压片烧结方法制成的SrAl〈,2〉O〈,4〉:Eu〈’2+〉,Dy〈’3+〉长余辉荧光材料的结构进行了研究。片状样品的透射电子显微镜衍射谱表明了片状样品为六方晶系。菊池线测定的晶格常数为a=5.132,c=8.451埃(微小位移近似)。薄区透射象表明晶体的最稳定面为(0,0,0,0)晶面,整体内部结构为取向不同,晶体结构相同的多晶体系。其单晶晶粒尺寸在几十纳米到几微米的较大范围分布。片状样品的HRTEM显示每一单晶的内部原子长程均匀有序排列,并证实了掺杂离子(Eu〈’2+〉,Dy〈’3+〉替代基质离子(Sr〈’2+〉,Al〈’3+〉)引起的位错造成的明显的局部晶格畸变。样品具有宽带发射谱。
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通过溶胶-凝胶法合成BAS(BaO-AL〈,2〉O〈,3〉-2SiO〈,2〉)粉末,分别添加10Vol℅、20Vol℅、30Vol℅、40Vol℅SiC片晶(SiC〈,pl〉),用热压烧结法制备SiC〈,pl〉/BAS复合材料,并考察其力学性能,分析了SiC〈,pl〉的强、韧化机制。结果表明,随着SiC〈,pl〉含量的增加,复合材料的断裂韧性和抗弯强度在0到30Vol℅区间内随着板粒的增加而增加。
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该文研究了Al〈,2〉O〈,3〉/Cu复合材料的高温变形行为。研究证明,弥散氧化物颗粒能够阻碍位错运动、稳定亚晶尺寸从而显著提高材料的强度。Al〈,2〉O〈,3〉/Cu复合材料高温变形的主要变形机制仍然是位错滑移。弥散氧化物能够阻止再结晶过程,在所研究的温度范围内(<1223K)动态回复是主要软化机制。应变速率和变形温度明显影响流变应力。提高变形速率或降低温度能够提高变形抗力,而低应变速率和高变形
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