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硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是，由于硅作为间接带隙半导体材料，其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近的光通信波段的发光效率，则对于光互连与光集成都起到积极的作用.
飞秒激光刻蚀形成黑硅的红外光致发光和电致发光研究
【摘 要】
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硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是，由于硅作为间接带隙半导体材料，其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近
【机 构】
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应用表面物理国家重点实验室,微纳光子结构教育部重点实验室,复旦大学物理学系,上海 200433
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年期
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