【摘 要】
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PHEMT材料采用外延手段生长有源层,可以得到比普通GaAs单晶片更好的器件特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件.利用GaAs PHEMT集成电路的设计
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
【出 处】
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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会
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PHEMT材料采用外延手段生长有源层,可以得到比普通GaAs单晶片更好的器件特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件.利用GaAs PHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通信用的GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关集成电路,产品具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔离度大于28dB,在2GHz,插损为0.7dB,隔离度大于20dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0.1≥10W.产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,成本低,并且采用低费塑料封装,产品各项性能指标均达到了国外同类产品水平.
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