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采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600~800℃范围内经RTP退火的方法形成低电阻的Ni(Pt)Si薄膜,比NiSi薄膜的温度窗口提高了150℃.在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度地提高其反向击穿电压.
深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究
【摘 要】
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采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600~800℃范围内经RTP退火的方法形成低电阻的Ni(Pt)Si薄膜,比NiSi薄膜的温度窗口提高了150℃.在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度
【机 构】
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北京大学微电子学研究院(北京)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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