【摘 要】
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采用等离子浸没离子注入和沉积(PⅢ-D)的方法在室温下合成了氮掺杂碳基薄膜.薄膜的厚度大约200 nm.采用路易斯酸碱对的方法深入研究了薄膜的表面能,拉曼光谱和X射线光电子能谱分析了薄膜的成分和结构,结果表明溥膜内N的掺杂含量和sp2簇并不是随N流量增加而持续一直增加.紫外分光光度计的研究结果表明带隙宽度与薄膜表面能中的酸碱分量比有较好的相关性。
【机 构】
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热带生物资源教育部重点实验室 海南大学材料与化工学院 海口 570228;材料先进技术教育部重点实验室 成都 610031
【出 处】
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2008年中国机械工程学会年会暨甘肃省学术年会
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采用等离子浸没离子注入和沉积(PⅢ-D)的方法在室温下合成了氮掺杂碳基薄膜.薄膜的厚度大约200 nm.采用路易斯酸碱对的方法深入研究了薄膜的表面能,拉曼光谱和X射线光电子能谱分析了薄膜的成分和结构,结果表明溥膜内N的掺杂含量和sp2簇并不是随N流量增加而持续一直增加.紫外分光光度计的研究结果表明带隙宽度与薄膜表面能中的酸碱分量比有较好的相关性。
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