【摘 要】
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采用dc反应磁控溅射法,在加热的Si(100)晶片上制备用于氢敏感的SnO2薄膜.改变溅射过程中的氧气流量,研究氧流量对于薄膜的晶粒尺寸和表面化学成分之间的关系.结果表明,随着氧
【机 构】
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北京有色金属研究总院能源中心,北京,100088
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采用dc反应磁控溅射法,在加热的Si(100)晶片上制备用于氢敏感的SnO2薄膜.改变溅射过程中的氧气流量,研究氧流量对于薄膜的晶粒尺寸和表面化学成分之间的关系.结果表明,随着氧流量的增加,在7.5sccm时有最大的晶粒尺寸和最佳的气体敏感度.XPS测试证明了氧流量决定薄膜表面的O/Sn,较高的氧流量有助于形成化学计量比的SnO2薄膜.
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