【摘 要】
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本研究以表面能观点观察奈米级晶粒的成长现象.实验对三种晶径介于10～20 nm的θ-Al2O3粉末,以三种压力单轴压成型制成生坯,以获得单位体积内所含粉末粒体数目不同,或单位体积内粉体之比表面积量(即比体积表面积,σv)不同之生坯样品.以热差分析获得θ-Al2O3粗化到达相变临界晶径的温度Tp,再透过Tp温度与σv及堆积密度fp的关系分析θ-晶粒之成长.结果显示,不受晶径或σv不同的影响,θ-晶粒
【出 处】
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中国颗粒学会2006年年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会
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本研究以表面能观点观察奈米级晶粒的成长现象.实验对三种晶径介于10～20 nm的θ-Al2O3粉末,以三种压力单轴压成型制成生坯,以获得单位体积内所含粉末粒体数目不同,或单位体积内粉体之比表面积量(即比体积表面积,σv)不同之生坯样品.以热差分析获得θ-Al2O3粗化到达相变临界晶径的温度Tp,再透过Tp温度与σv及堆积密度fp的关系分析θ-晶粒之成长.结果显示,不受晶径或σv不同的影响,θ-晶粒之成长速率接近定值.晶粒系统具同一σv值者将在同一温度开始成长,σv越大其开始成长温度越低.而具同一堆积密度者将在同一温度到达相变临界晶径.同时在成长过程,粗晶粒有等细晶粒成长至同一体表面积再一起成长(等比体积表面积成长)的现象.
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