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纳米尺度的赝自旋阀结构可在无外磁场的情况下发生电流感应磁化翻转效应，因而在构建非挥发存储器方面有着广泛的应用前景。本文运用宏观双通道扩散模型，研究了赝自旋阀结构中的自旋相关榆运过程；利用自旋流连续和化学势差连续作为边界条件，理论计算解释了铁磁层和非磁层电阻匹配问题对电流感应磁化翻转效应中临界电流的影响。结果表明，在纳米尺度的半导体赝自旋阀中，难以发生电流感应磁化翻转效应。