复合橡胶板厢式压滤机的应用

来源 :第六届全国非均相分离学术交流会暨非均相分离新型技术设备推广会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaosun988
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长InGaP/GaAs HBT微结构材料及其原型器件研究.
会议
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应变InGaAs沟道的生长条件,生长出性能良好的PHEMT材料和HFET材料.
会议
会议
本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.
本文用拉曼散射实验对低温生长的AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料的特征,缺陷及其内在的相互关系进行了分析和讨论.
本文对GaAs(001)衬底上分子束外延生长的立方GaN的热稳定性做了研究,研究表明随着退火温度的提高样品表面粗糙度减小.
对采用分子束外延技术生长的氮化镓进行位错密度的分析,目前的报道并不多.本文介绍了采用光辅助湿法刻蚀氮化镓后进行原子力显微镜(AFM)的分析,可以估算氮化镓的位错密度.并采用X-ray衍射的二维三轴maping图谱(TDTAM)计算位错密度的方法对估算结果进行验证,得到一致的结果.表明:使用光辅助湿法刻蚀氮化镓后的AFM分析估算氮化镓的位错密度是一个有效而直观的方法.
球磨系统尾气量为10000m〈’3〉/h;含尘浓度为100g/m〈’3〉左右,平均粒径为6.63μm。采用四台R-S型旋网分郭器并联操作,并增设灰斗抽气装置,提高分离效率。实测结果表明该分离装置的分离效率达95.2℅,出口粉尘的平均粒径为2.12μm,大于7μm的颗粒粒级效率超过99℅。