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微波HBT小信号等效电路参数的解析提取
【机 构】
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大学毫米波国家重点实验室
【出 处】
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'96全国第六届MIC电路及工艺会议
【发表日期】
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1996年期
其他文献
Si—SiO[*v2*]界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子的慢俘获作用将导致双极晶体管电流放大系数h[*vFE*]随时间的漂移。该文从这种漂移的物理机制出发，建立了严格的数学模型，