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该文介绍了一种硅电容加速度传感器的设计和研制，通过采用新型三维无掩模腐蚀工艺，形成对称梁差动电容结构以减小传感器的横向效应。同时讨论了器件的静态特性和阻尼特性，提出减小阻尼的方法。最后对器件进行了测试，测试结果表明器件的电容变化率约为１０℅／ｇ，器件的频带宽度为１５０Ｈｚ。
硅电容加速度传感器的设计和研制
【摘 要】
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该文介绍了一种硅电容加速度传感器的设计和研制，通过采用新型三维无掩模腐蚀工艺，形成对称梁差动电容结构以减小传感器的横向效应。同时讨论了器件的静态特性和阻尼特性，提出减
【机 构】
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大学电子工程系
【出 处】
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第五届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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1997年期
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