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硅变容二极管在较高的中子注量辐射下，电调谐特性几乎完全损失，主要原因是中子辐射在P[*+*]N耗尽区N的一边引入深俘获能级，俘获N区施主使耗尽层展宽，结电容大大变小，最终使电容值几乎不再受偏压的调制。砷化镓变容二极管N区施主浓度较高，在高中子注量辐射下，N区深能级密度尚大大低于施主浓度，因而中子辐射对电容值的影响较小。硅变容二极管在高中子注量辐射下，漏电流有明显增加，因而中子辐射在硅中产生永久性缺陷，使耗尽区的复合—产生率增加，在反应堆中因伴有γ射线，使该二极管的表面产生电离效应，形成漏电通道。该文介绍了上述三种二柝管的中子辐射效应、正向电压、漏电流、优值Q等物理与电特性。（王太和摘）