在高速通信和片上集成方面,低功耗(即低阈值)激光器有着快速响应和降低功耗增加集成度方面有着很好的前景.InAs量子点由于具有合适的波长范围,更强的光子限域效应,得到了广泛的关注.微柱结构,受益于在3维上对光场进行了限制,而在制备高性能单光子源与激光器上有着很好的前景.在量子通讯和量子信息处理等方面,高质量的半导体微柱单光子源与激光器已经证明具有了很低的二阶关联函数与低的激射阈值,具有很强的实用性.本文在MBE上生长制备室温930nm的量了点DBR结构，同时工艺摸索调节优化微柱的刻蚀，得到了比较好的结果。MBE生长是在SI的GaAs圆片上进行的，在设计中，DBR是由25对A10.9GaAs/GaAs组成了下DBR，有源区是梯度生长的工，tAs量了点，位置在长度为入腔中心，然后由相同结构的12对DBR组成上DBR。在室温下用工，tGaAs探测器进行了傅里叶光谱测试，对梯度的多个点的测试表明，得到了较好的930nm单线结果。PL谱如图10在此基础上，尝试并优化了ICP刻蚀条件，得到了如图2和图3的结果。本文对Sum厚的生长片生长Si02掩膜，光刻、刻蚀得到了较好的准直性，倾斜角为86.5。GaAs和A10.9GaAs之问的刻蚀差为21.86nm。