Ag掺杂相关论文
溶液法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池可以降低其制备成本,提高原料利用率,从而提升CIGS电池在光伏市场的竞争力.近年来基......
本文介绍了挥发性有机污染物的危害和治理,光催化化学的发展状况、理论意义及现实意义,对TiO2光催化消除有机物机理和研究现状以及......
本论文采用固相反应法制备LCMO及LCMO-Ag靶材，并用射频磁控溅射工艺在Si（100）基片上制备LCMO-Ag薄膜，研究制备工艺参数对LCMO-Ag薄膜电......
目前,Cu-S基热电材料因其原料价格低廉、无毒,本身具有超低热导率等优点越来越受到大家的关注,被认为是一类极具应用前景的热电材......
La1-xAxMn O3（A=Ca,Sr,Ba等）材料作为一种典型的钙钛矿锰氧化物可以被应用在电磁领域的器件中,该材料内部具有复杂的物理现象。要使L......
薄膜材料的种类繁多,常见的有氧化锌（Zinc Oxide,简称Zn O）、氧化镍（Nickel Oxide,简称Ni O）、二氧化钛（Titanium Dioxide,简称TiO2）以及......
文章围绕着氧化锌（Zn O）这种传统半导体材料展开探索,目标是用来解决环境污染问题。通过研究Zn O的催化性能来解决环境严重污染和各......
研究高催化活性、高稳定性的氧还原催化剂对于燃料电池和金属-空气电池的发展是至关重要的。采用湿式还原法将Ag嵌入ZIF-67孔腔内......
半导体光催化剂在环境和能源领域有着潜在的应用前景。W03由于具有良好的稳定性,价带空穴氧化能力强,来源广泛,低价,无毒的特点而......
TiO2光催化具有氧化活性高、化学性质稳定、环境友好等特点，被广泛应用于有机污染物治理中。然而由于TiO2的禁带宽度较大(>3.2 eV)，......
流程工业中的设备长期处于高温、高压、强腐蚀性等高参数运行环境中,材料受损破坏风险增加,因此对危险部位进行实时结构健康监测,......
随着社会的进步和经济的快速发展,伴随而来的环境污染问题也日益严重,对环境污染的控制和治理已经成为人类亟待解决的重大问题。由......
ZnO作为优异的宽禁带半导体材料，在光电领域的应用前景非常广泛，已经成为近年来研究的热点之一，但仅仅依靠ZnO本身的性质有时难以达到......
ZnO作为重要的Ⅱ～Ⅵ族半导体纳米材料，具有独特而优异的光电特性和很好的生物相容性，在发光二极管、传感器、光催化、生物医学等领域......
综述了光催化技术的研究现状、TiO2光催化反应的机理、TiO2纳米管阵列的制备方法、不同银离子掺杂方式以及Ag掺杂对TiO2光催化活性......
溶胶-凝胶法制备了Ag掺杂的ZnO薄膜(AZO).采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-VIS分光光度计、光致发光检测研究了掺杂......
采用固相法合成制备La2/3Sr1/3MnO3∶Agx(LSMO∶Agx,其中x为Ag掺杂量的摩尔比,x=0.00、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶材料。通过X射......
宽禁带直接带隙半导体材料氧化锌(ZnO),具有优异的光电性能、机械性能和化学特性。ZnO材料的结构对其性能影响较大,元素掺杂可改变......
通过简单的水热反应，结合煅烧工艺制备了不同掺杂浓度（摩尔比0％-8％）的系列Ag—In2O3纳米颗粒。通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）......
概述准一维纳米结构材料包括纳米管、纳米线和纳米棒通过多种方法已经被成功制备出来，其独特的物理化学特性，在微电子器件方面有很好......
ZnSb基热电材料是中温区热电性能较好的一种材料,为进一步提升其性能,采用磁控溅射(射频+直流)的方法制备掺杂型ZnSb基热电薄膜;通......
以Zn（NO3）3.6 H2O,AgNO3为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和ZnO∶Ag纳米晶,利用XRD,SEM,TEM和PL谱对样品的结构......
采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。原子力显微镜和扫描电子显微镜分析显示：薄膜晶粒呈球形，600℃......
由于自身电子性质的可协调性,镉硫族半导体尤其是掺杂的纳米半导体团簇吸引了广泛关注.采用密度泛函理论的方法对Cd_nSe_n（11≤n≤1......
利用溶胶一凝胶法制备了L10相FePt纳米颗粒和FePtAg纳米颗粒，并利用X射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）、透射电子显微镜（TEM）等测试......
TiO2在光催化和光电转化领域拥有十分广阔的应用前景,近几年来备受研究人员广泛关注。本文综述了TiO2光催化反应机理以及掺银TiO2......
基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了Ag掺杂单层MoS_2中的能带结构、态密度和光学性质.计算结果显示单层MoS_2具有......
采用Ag原子对锐钛矿型TiO2半导体进行掺杂，利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Ag掺杂TiQ的晶体结构和能带结构．计算表明，Ag掺杂......
本研究利用Ag掺杂型TiO2粉末,以盐酸四环素为目标污染物,于可见光下光催化降解四环素类抗生素废水。通过光催化降解盐酸四环素的实......
采用溶胶-凝胶法制备了Ag/Ti O2光催化剂。通过X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、N2吸附-脱附（BET）、透射电子显微镜（TEM）对......
硒化锡热电材料作为一种极具研究前景的功能材料,其单晶ZT值可达2.6。但由于单晶制备工艺的复杂性及应用限制,现研究主要集中于多......
乙炔（C2H2）气体是运行电力变压器油中溶解的主要故障特征气体之一,能有效反映变压器的放电故障;气体检测传感器及其检测特性是实现故......
对纯钛片进行阳极氧化,得到长度约2μm的TiO2纳米管,在AgNO3溶液中TiO2纳米管在紫外光照射下,成功的将Ag＋离子还原为Ag单质,并沉积......
采用放电等离子烧结（SPS）方法制备Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te合金，并分析研究其热电性能。结果表明：掺杂Ag后，合金AgxBi（2-x）Se0.3Te2.7（x=0．005......
Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池与其他类型的太阳能电池比较,拥有诸多的优点而受到了广泛地关注和研究,如吸光系数高,合适......
通过磁控溅射仪制备了Ge2 Sb2 Te5（ GST）和Ag10？6（ GST）89？4薄膜，利用X射线衍射（ XRD）、电阻-温度（ R-T）测试、透射电子显微学以及径向分布函......
通过物理球磨法和化学还原法制备了Ag掺杂的CFx复合材料,分别以CFx材料、制备的复合材料为活性物质,装配成2 Ah的锂氟化碳软包电池......
利用钛酸四丁酯水解得到TiO2胶体溶液,加AgNO3得到掺Ag的TiO2胶体溶液;在室温下利用浸渍-提拉法制成透明的前驱体薄膜,通过煅烧处......
利用SIMS和变温霍尔测量手段对p型Hg0.77Cd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究.结果表明采用......
Sn Se是一种潜在的极具应用前景的热电材料。采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法制备了Ag掺杂的Sn1-xAgxSe（0.005≤x≤0.03）多......
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作为一种Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,氧化锌(ZnO)在很多方面有着广泛的应用。由于ZnO是直接带隙宽禁带(3.37eV)半导体并具有较大的激子束缚......
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采用水热法一步合成了不同含量的Ag掺杂的氧化锰八面体分子筛（Ag-OMS-2）,用X射线衍射（XRD）、比表面积测试（BET）、拉曼光谱（Raman）、扫描电......
ZnO/GaN异质结带隙宽度较宽,制约了对可见光的吸收。为研究Ag对ZnO/GaN异质结可见光吸收的影响,在(1-100)非极性面上构建GaN/ZnO异......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
采用溶胶一凝胶法制备了Ag—TiO2光催化剂粉体，研究了不同制备条件对样品性能的影响，并以亚甲基蓝（MB）作为目标降解物，研究了其光催化性......
