半导体Si上电沉积Cu-Co金属颗粒膜及其巨磁电阻效应

来源 :2004年全国电子电镀学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：airkey1

【摘要】

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本文采用电化学沉积方法在半导体Si片上制备了Cu-Co金属颗粒膜.XRD得出制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火后样品的巨磁电阻值得到了提高,在退火后样品的XRD谱图

【作者】

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姚素薇吴海霞王宏智

【机构】

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天津大学化工学院应用化学系,300072

【出处】

：

2004年全国电子电镀学术研讨会

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

半导体电沉积金属颗粒膜巨磁电阻值样品组成退火合金结构沉积方法薄膜形成制备态衍射峰亚稳态相分离电化学纯金属析出谱图单相

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本文采用电化学沉积方法在半导体Si片上制备了Cu-Co金属颗粒膜.XRD得出制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火后样品的巨磁电阻值得到了提高,在退火后样品的XRD谱图中观察到了析出的纯金属Co的衍射峰,这表明薄膜中发生了相分离.当样品组成为Co20Cu80时,450℃退火后得到最大巨磁电阻值为8.21％.

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