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微波功率锗硅肖特基异质结双极晶体管研究
微波功率锗硅肖特基异质结双极晶体管研究
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dextersky001
【摘 要】
:
该文提出利用SiGe肖特基HBT器件在高频、高速方面的优势提高硅双极型器件的微波功率特性;在解决了在SiO〈,2〉窗口上生长高质量大面积SiGe薄膜等关键技术问题之后,采用等平面工艺,研制出工作频率
【作 者】
:
李平
张荣
【机 构】
:
科技大学(成都)
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
微波功率
锗硅
肖特基
双极型器件
输出功率
平面工艺
技术问题
功率增益
功率特性
工作频率
大面积
质量
高频
高硅
窗口
薄膜
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该文提出利用SiGe肖特基HBT器件在高频、高速方面的优势提高硅双极型器件的微波功率特性;在解决了在SiO〈,2〉窗口上生长高质量大面积SiGe薄膜等关键技术问题之后,采用等平面工艺,研制出工作频率1GH〈,z〉,输出功率4.5瓦,功率增益6.1dB的SiGe肖特基HBT。
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