平面工艺相关论文
介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器--双面硅条两位位置灵敏探测器的结构，工作原理，制备工艺及测试结果。该探测器......
本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。这种探测器的最突出优点是在较低的偏压......
介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器——双面硅条两维位置灵敏探测器的结构,工作原理,制备工艺及测试结果.该探......
介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器-双面硅条两位位置灵敏探测器的结构，工作原理，制备工艺及测试结果。该探测器......
分析了以光电二极管、DFB激光器、DBR激光器的等效电路的特点，由于其平面工艺，使得以这些基本器件组成的OEIC、PIC及与之配合的电路......
描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制备工艺技术及性能测试初步结果.这种探测器的灵敏面积为50×50 mm2.......
用平面工艺制备核探测器,最早出现差不多与面垒工艺同时,但由于当时单晶硅材料和半导体工艺水平的限制,使它从出现以后的20年间未......
本文描述了采用平面工艺研制的基于Si多条的一维和两维位置灵敏探测器的结构、工作原理、制备工艺技术和性能测试结果以及在空间探......
本文描述了用平面工艺+离子注入技术制备新型空间带电粒子探测器的工艺技术及器件的特性.探测器的厚度为100μm,300μm,450μm和10......
位置灵敏探测器对于高能物理和核物理都是十分重要的。在核反应中，为了得到核-核碰撞过程及其动力学信息，必须知道出射粒子的角......
本文讨论了厚耗尽层Si探测器在空间带电粒子探测中的重要作用和意义,分析了实现厚耗尽层Si探测器在技术上所受到的局限性,给出了两......
自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工......
报道了在一个外尺寸为20mm×20mm×4．5mm充氮管壳内封装两个波段拼接的8元短波MCT探测器工程化组件。在155K工作温度下，探测器的DΔ......
报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测ＦＥＴ的Ｓ参数进行微波ＣＡＤ优化设计，内部包含有３个３００μｍ栅宽的ＦＥＴ，芯片面积１．７ｍｍ×１．９ｍｍ。采......
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规......
本文介绍分子束外延生长HgCdTe外延层以及利用平面工艺技术制造敏感波长为8μm-10μm的小型p-n结的结果。在分子束外延过程中,生长......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
平面型双向触发二极管双向触发二极管广泛用于双向可控硅和电子镇流器的触发电路中。目前市场上的双向二极管多数都是从汤姆逊进口......
用微电子平面工艺制备了带宽相边长分别为10、20、30μm的带形和正方形微电极阵列(BMEA和SMEA)。在K_3Fe(CN)_6溶液中研究了它们的......
安森美半导体推出几款新型N型通道功率MOSFET,这些24/25 V器件是专门针对服务器和台式电脑中的同步降压转换电路(VRM和VRD)以及网......
光学微腔中偶极子自发辐射受到空间和频谱调制,能实现自发辐射增强或抑制效应,而且其有源区体积可以非常小,有利于极低阈值工作和......
适于光子集成的半导体微腔双稳态激光器，在高速光存．储、光交换等光信息处理方面具有重要的应用价值。模式竞争产生的双稳态半导体激......
3D已经成为半导体微细加工技术到达物理极限之后的必然趋势,目前正处于3D工艺的探索期。在这一过程中,以及今后在实现3D工艺的发展......
我厂630中型轧钢车间酸洗间,由于在酸洗工序平面布置、酸洗槽的防腐和酸雾的排除设施等方面存在严重问题,因此常常发生事故,影响......
照相制版是半导体平面工艺的重要组成部分,光刻掩膜的质量直接影响半导体器件的性能和成品率。随着器件的发展,对光刻掩膜的精度......
要在邮件处理中心中顺利实施“平面工艺” ,必须要有装卸机械化、分拣自动化、信息网络化、按“三状”处理邮件、改革规章制度等多......
合肥工业大学真空技术及设备教研室,根据半导体感温特性,利用微电子平面工艺,经过三年多的努力,研制成功宽量程半导体真空规。来自......
本文给出了用硅平面工艺和微加工工艺制造的漂浮膜真空传感器。传感器的测量上 限为１０ ｋＰａ，分辨率为１０ｍＰａ。传感器的特性和物理模型推出的公式......
纳米晶固体材料是由粒径小于100nm的微晶颗粒聚集而成的块状或薄膜人工固体,它具有特殊性能。本文采用sol-gel法制备了LaFeO_3纳......
在用平面工艺制作半导体器件的过程中,SiO_2膜起着非常重要的作用,它被用作介质、扩散掩蔽、钝化层等。由此,对SiO_2膜的制备和特......
在表面栅和埋栅结构的基础上 ,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构 ,平面型埋栅结构 .用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压......
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美国Harris公司发明的多晶平面工艺主要是根据介质隔离技术原理的一种改进工艺,它对改善隔离性能、集成度以及电路特性等方面具有......
利用平面工艺和二氧化硅层掩膜区域扩散,在同一衬底上,形成十个独立的P—n结光电二极管,从而得到线列阵器件。其光谱响应范围为0.3......
P-N-P 型晶体管,由于表面效应严重,对外界的影响相当敏感,因而易出现反型及隧道效应,形成大的沟道漏电及低的击穿电压,如果按照通......
今天,电子学正向固体化、微型化、集成化、高可靠方向发展。电子学向这个方向发展的支柱是半导体器件及集成电路。半导体器件及集......
近几年,关于半导体发光器件的技术已稳固建立。一些分立的器件和简单的数码管已广泛应用于工业和军事上的显示。还正在开展用这种......
众所周知,线性电路是为了用器件、组件等实现输出电讯号随输入电讯号产生线性的变化,不是如数字电路那样只要求具有两种输出状态.......
1.双外延材料选取原则400兆50瓦硅大功率管选用外延平面工艺制作,对外延层提出了要求.首先要求BV_(ceo)较高,这就要求外延层的电......
用于超高速LSI器件的砷化镓结构、具有极小延迟的特殊加工的约瑟夫逊结器件以及许多MOS器件的进展在国际电子器件会议上所报告的......
大多数半导体器件和单片集成电路系采用平面工艺制做。台式器件比平面器件有许多优点,且可获得平面工艺所不能得到的特殊性能。然......
