【摘 要】
：
Achieving multicolor detection within a single device is highly pursued,where we can realize accurate detections and also reduce the complexity,weight,and cost of structure at the same time.The two-di
论文部分内容阅读
Achieving multicolor detection within a single device is highly pursued,where we can realize accurate detections and also reduce the complexity,weight,and cost of structure at the same time.The two-dimensional(2D)layered semiconductors have received extensive concern for photodetection due to the variable bandgap of the 2D layered materials from 0 eV to 6 eV,which are suitable for developing broadband and multicolor photodetectors.Meanwhile,unlike the conventional heterostructures,the atomically sharp 2D heterojunctions can easily be fabricated without limitation of lattice matches between the layered materials.
其他文献
QDSSCs have similar structures to dye-sensitized solar cells(DSSCs).As a new kind of photoelectrode materials for photovoltaic devices,the well aligned one-dimensional ZnO nanostructures,such as nanor
提高太阳能电池光电转换效率的关键是增加器件对光子的吸收能力；同时，降低器件材料厚度能够提高太阳能电池的经济性。表面纳米光栅结构因其极好的陷光能力被认为是兼顾以上要求的重要手段，被广泛应用于光伏器件减反层。传统太阳能电池的表面光栅结构以单周期的简单结构为主。近期研究表明，复杂调制光栅结构能够更有效提高太阳能电池的性能。
氧化锌(ZnO)和GaN 同属于六方纤锌矿结构,而且ZnO 室温下的激子束缚能为60 meV,制备方法多样化,分布广泛,有望取代GaN 成为新一代光电器件原料。本征ZnO 为n 型半导体,光致发光(photoluminescence,PL)包括两个波段：紫外光(～380 nm)和绿光(500 nm左右),紫外光发射来源于近带边(near-band edge,NBE)复合发光,绿光发射来源于缺陷态(
采用光学气化过饱和析出法在光学浮区炉中制备出高质量ZnO 单晶微米管.通过研究不同制备工艺参数下的显微形貌，提出了ZnO 微米棒/微米管的生长机理——光学气化过饱和析出及轴向再分解.XRD 和HRTEM 分析发现，所制备的ZnO 微米管为高质量的六方纤锌矿单晶结构，沿[0001]方向生长.
时间分辨和自旋分辨的角分辨光电能谱系统(TR-SPIN-ARPES)，能够在飞秒的时间尺度内获得材料电子的能带结构，角动量，电子自旋等物理量的变化，为我们研究超高速材料和自旋器件提供了一个有力的工具。因此用于TR—ARPES 的极紫外超快光源在该系统尤为重要。在这套系统中，高功率的钛宝石飞秒激光器输出的激光被分成两部分，一部分用于高次谐波产生系统，另一部分用于光学参量放大器。
羟基卤族结构的碘化铅(laurionite-type lead halide hydroxide,Pb(OH)X(X = Cl,Br,I))由于其独特结构和光谱特性而备受关注。目前,关于羟基卤族结构的碘化铅的制备主要通过硝酸铅和碘化钾或者其它铅盐和碘盐之间的化学反应,比如共沉淀法,水热法和微波加热法等,这将不可避免的引入钾离子等杂质。
MCNO flexible thermistors have been fabricated on polyethylene terephthalate or polyimide sheets by RF magnetron sputtering method at room temperature.The whole fabricating processes have been done at
三氧化钼是一种宽带隙的 n 型半导体材料，因其具有良好的气致变色和光致变色性 能，在信息显示、传感器、存储介质和智能窗等领域具有潜在的应用。本论文利用水热法合 成三氧化钼，该方法是一种以原材料直接混合加以高温高压制备三氧化钼最直接、最简单的 技术。该方法制备的一维三氧化钼(MoO3)纳米线具有更高的比表面积，合成后再添加钯量 子点进行修饰。
时间分辨和自旋分辨的角分辨光电子能谱系统是了解材料能带结构,研究材料物理参量变化过程的重要工具.在ARPES 系统中,UVS Helium Lamp 作为光源(～20eV),经过半球分析仪的电场作用下,不同能量和角动量的电子被分离,在CCD camera 中观察到其表面静态的自旋分辨能带结构,能量分辨3 meV.同时,我们利用超短脉冲极紫外光源来实现时间分辨的ARPES.