GaSe相关论文
单硒化物层状半导体材料具有独特的各向异性晶体结构和优异光学和电子学性质,广泛应用于各种柔性电子及光电子器件。高压作为基本......
随着二维材料在各个领域的广泛应用,越来越多不同类型的二维材料被科学家发现并进行研究。其中,硒化镓（GaSe）作为ⅢA-ⅥA族硫属化合......
本工作与俄罗斯科学研究院西伯利亚分院Andreev教授合作,系统地对纯GaSe,GaSe1-xSx （x = 0, 0.0042, 0.023, 0.09, 0.091, 0.182, 0......
Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC epilayers was performed on 4° off-axis 4H-SiC substrates in a home-m......
描述了使用电感储能发生器和半导体转换开关泵浦的工作波长为10.6μm的高效CO2激光器。给出了激光泵浦的非线性晶体GaSe和GaSe0.7S......
压电光电子学通过机械应力来调节半导体材料的光电特性,从而实现力-电-光的转化,在人机交互、微纳机电系统、传感和自驱动系统等领......
1 Have you ever heard the story of the four-minute mile? Many years ago, people believed that it was impossible for a......
Preparation of rare-earth-modified medical stone powders and their application as conductive fillers
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
描述了使用电感储能发生器和半导体转换开关泵浦的工作波长为10.6μm的高效CO2激光器。给出了激光泵浦的非线性晶体GaSe和GaSe0.7S......
采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38......
笔者在西藏班公错．怒江结合带中段南缘嘎色地区的一套缺少化石依据的地层中，发现有孔虫Mesorbitolina sp．等化石，地层时代确定为晚侏罗......
目的：探讨气态甲醛慢性染毒对小鼠卵巢功能及卵巢局部Foxl2、Fshr、Esr2mRNA表达的影响，进一步研究气态甲醛的生殖毒性作用。方法：将2......
对红外非线性光学晶体GaSe的非线性性质进行了研究。计算模拟了1．064μm、2．05μm、2．79μm泵浦情况下Ⅰ、Ⅱ类相位匹配情况下GaSe晶......
本研究建立了纤铁矿TiO2和GaSe二维晶体的物理模型,用第一性原理的密度泛函方法计算了两体系的能带性质,分析了体系的电子态及光谱......
本研究建立了纤铁矿TiO2和GaSe二维晶体的物理模型,用第一性原理的密度泛函方法计算了两体系的能带性质,分析了体系的电子态及光谱......
测量了不同轻型车的总碳氢THC、一氧化碳CO和氮氧化物NOx气体污染物排放,并定量评价了中国内地轻型车气体污染物排放水平的变化情......
对于渗透性差、产能低的气井,稳定测试初期往往出现井底积液,导致试井资料出现异常指示曲线,采用常规的系统试井分析方法根本无法......
对不同浓度Al、S和Te掺杂GaSe晶体的透过率和倍频特性进行了研究.结果表明,适宜浓度的掺杂晶体在透明波段内吸收系数约为α≤0.1-0......
对不同浓度Al、S和Te掺杂GaSe晶体的透过率和倍频特性进行了研究.结果表明,适宜浓度的掺杂晶体在透明波段内吸收系数约为α≤0.1-0......
为了研究多孔铜尺度对其叠氮化反应的影响,根据铜叠氮化物与单质铜在50 ℃、0.5 mol·L^-1稀盐酸溶液中的不同溶解性,利用电感......
1. Introduction?? GaSe layered crystals are related to A3B6 binary compounds. Due to the sharp anisotropy of their ch......
硒化镓及其掺杂晶体光学、倍频及飞秒激光损伤特性的研究非线性光学晶体材料是光电子技术,尤其是激光技术的重要物质基础，被广泛用......
本论文主要针对于纯GaSe, GaSe:Te ( 0.05, 0.5, 5 mass%) ,GaSe:S (2, 10mass%)以及GaSe:Al ( 0.01, 0.1, 0.5 mass%)等改进后晶......
超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于......
本工作与俄罗斯科学研究院西伯利亚分院Andreev教授合作,系统地对纯GaSe,GaSe1-xSx （x = 0, 0.0042, 0.023, 0.09, 0.091, 0.182, 0......
