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p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题,一直困扰着光伏科学界.本文从能带结构工程角度,利用纳米非晶硅的带隙与材料成分和结构的关系,首次设计出了p-i-n各层,并使其p、i、n各层按顺序能带渐变,从而提高了整个太阳电池的光电转换效率和开路电压并降低了光衰减.
渐变带隙p-i-n纳米硅太阳电池的研究
【摘 要】
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p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题,一直困扰着光伏科学界.本文从能带结构工程角度,利用纳米非晶硅的带隙与材料成分和结构的关系,首次设计出了p-i-n各层,并使其p、i、n各层按顺序能带渐变,从而提高了整个太阳电池的光电转换效率和开路电压并降低了光衰减.
【机 构】
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上海交通大学物理系太阳能研究所(上海) 西安交通大学光电子系太阳能研究所(西安)
【出 处】
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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会
【发表日期】
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2004年10期
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