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介绍了一种基于硅浆料的硅片P 型掺杂方法。将掺硼的纳米硅颗粒分散于溶剂中制得P 型的硅浆料，并将其丝网印刷在硅片的表面。热处理后纳米硅颗粒中的硼原子将扩散进入硅片中，对硅片进行掺杂。二次离子质谱和方块电阻的测试结果表明该方法可成功实现对硅片的掺杂。
Doping silicon wafers by use of silicon paste
【摘 要】
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介绍了一种基于硅浆料的硅片P 型掺杂方法。将掺硼的纳米硅颗粒分散于溶剂中制得P 型的硅浆料，并将其丝网印刷在硅片的表面。热处理后纳米硅颗粒中的硼原子将扩散进入硅片中，对硅片进行掺杂。二次离子质谱和方块电阻的测试结果表明该方法可成功实现对硅片的掺杂。
【机 构】
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State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zheji
【出 处】
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第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2012年5期
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