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单层MoS2是一种具有直接带隙的原子厚度的二维半导体材料1.最新的研究表明将MoS2作为衬底与磁性团簇形成复合材料2,可以有效的调节体系的电学性质和磁性3,从而在场效应晶体管4、逻辑电路5、稀磁半导体6等方面拓展更为宽广的应用前景.
二维铁磁性Fe/MoS2异质结的第一性原理研究
【摘 要】
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单层MoS2是一种具有直接带隙的原子厚度的二维半导体材料1.最新的研究表明将MoS2作为衬底与磁性团簇形成复合材料2,可以有效的调节体系的电学性质和磁性3,从而在场效应晶
【机 构】
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南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室,南京市汉口路22号,南京 210093
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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