【摘 要】
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用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103.3-103.5eV,硅氧
【机 构】
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四川大学物理系(成都)四川大学化学系(成都)
【出 处】
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中国化学会全国第五届无机化学学术会议
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用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO<,2>膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm<-1>范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103.3-103.5eV,硅氧原子比为1:1.99;激光椭圆偏振仪测得折射率在1.30-1.55范围;MOS电容的高频C-V特性曲线表明,平带电压为正,计算得氧化物电荷的电性为负,密度为6.6×10<10>-8.8×10<11>个cm<-2>,其大小可以通过改变处理条件进行控制;BT实验表明,可动电荷密度为(3-6)×10<10>个cm<-2>,这种新型SiO<,2>膜可望在微电子器件工艺中得到应用.
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