【摘 要】
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在IBC电池的制作过程中,其中一种办法是先进行硼扩散然后以二氧化硅作为掩膜再进行磷扩散,在扩散硼的区域上有二氧化硅掩膜的保护作用,p区域保持不变,在需要扩散磷的区域没有
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所, 510006
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在IBC电池的制作过程中,其中一种办法是先进行硼扩散然后以二氧化硅作为掩膜再进行磷扩散,在扩散硼的区域上有二氧化硅掩膜的保护作用,p区域保持不变,在需要扩散磷的区域没有二氧化硅掩膜的保护而形成一个n+层,同时在p区和n+区之间的区域,还存在着一个覆盖着二氧化硅的间隙,起到电极隔离的作用.本文是研究在不同的的温度和时间下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度,厚度从45.9nm到124nm,然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像,研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用.同时,还测量了在不同情况下硅片的少子寿命,以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺,为IBC电池工艺的后续研究提供参考.
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