论文部分内容阅读
研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐射退火表现。结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温度下，退火速率高，幅度大；相同退火温度下，正偏置下负偏置相比有加速退火的作用，其退火幅度也较大。在180℃ ，零偏条件下获得了最快的100℅的退火效果；用模型讨论了实验结果。