【摘 要】
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采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射
【机 构】
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College of Telecommunication Engineering,Chengdu University of Information Technology,Chengdu 610225
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
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采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度、氧分压对ZnO薄膜结构与择优取向的影响；通过对不同溅射工艺参数的进一步分析比较,确定了RF溅射最佳条件：基片温度Ts小于300℃,氩氧气氛体积比为Ar∶O2=20∶5,由此制得了高度c轴(002)择优取向、致密、均匀,满足声表面波器件(SAW)应用要求的ZnO压电薄膜.
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