【摘 要】
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相变存储器被认为是最有前途的非易失性存储器之一。相变存储器通过电脉冲让存储单元快速在晶态(电阻较低)和非晶态(电阻较高)之间快速切换，从而实现二进制1和0的转换。相变材料如Ge2Sb2Te5的非晶化过程需要先通过加热使材料进入熔融态，然后将熔融态的相变材料迅速冷却，使得材料的原子结构来不及晶化就被固定而形成非晶态。
【机 构】
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北京大学物理学院电子显微镜实验室,北京 100871
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相变存储器被认为是最有前途的非易失性存储器之一。相变存储器通过电脉冲让存储单元快速在晶态(电阻较低)和非晶态(电阻较高)之间快速切换，从而实现二进制1和0的转换。相变材料如Ge2Sb2Te5的非晶化过程需要先通过加热使材料进入熔融态，然后将熔融态的相变材料迅速冷却，使得材料的原子结构来不及晶化就被固定而形成非晶态。
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