相变存储相关论文
随着摩尔定律的发展,基于MOS结构的存储器件逐渐逼近物理极限。同时,尺寸微缩和工艺迭代的成本壁垒迫使产业界寻找新的存储方案。......
自大数据时代以来,信息量的爆炸式增长,给数据的存储和处理提出了巨大的挑战,不断促使人们寻求低成本、高可靠性的高速的存储方案......
在非易失存储器领域和热电领域,硫系材料是最引人注目的材料。相变存储器利用亚稳态非晶相和亚稳态盐岩立方相之间的可逆快速相变......
相变存储器被认为是最有前途的非易失性存储器之一。相变存储器通过电脉冲让存储单元快速在晶态(电阻较低)和非晶态(电阻较高)之间......
相变存储器被认为是最有可能取代目前的SRAM、DRAM、FLASH等产品的下一代非易失性存储器之一[1]。该器件依赖于一种相变存储材料。......
为了提升相变随机存储器(PCRAM)的性能，开发并系统研究了数种高性能存储材料，并对传统的PCRAM器件结构进行了改进，取得了以下创新成果......
学位
相变存储器(Phase change memory-PCM)是目前最具潜力的下一代非易失性存储器，降低相变存储单元(PCM cell)的功耗和实现高密度存储......
学位
电子束曝光是当前制备微纳器件结构的主要方式之一。本文所使用的电子束曝光系统是由商用扫描电子显微镜(SEM)改装而来，SEM选用Hita......
学位
存储器在半导体市场中占有重要的地位，仅DRAM(Dynamic Random．AccessMemory)和FLASH两种就占市场的15％，随着便携式电子设备的不断普及，......
相变存储技术是存储技术的一个重要分支。尤其是相变电存储技术在近年来发展的异常迅速，近年来受到了广泛的关注。Ge2Sb2Te5是目前......
在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2Sb2Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6%(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂......
为了提高相变存储器和DRAM所组成混合内存中PCM的耐久性,减少页面在PCM上的写操作,通过一个新公式结合写访问频率的统计和最近写访......
为了使采用直接蒸汽技术的太阳能热力发电达到商业化应用，须开发与之配套的高效、价低的高温潜热储能系统。提出了采用铝片强化高温......
以GeSbTe及AgInSbTe等硫系合金化合物为载体,较全面地介绍了当前相变存储研究领域比较热门的几种存储方法,对各自的研究进展作了必......
相变存储技术作为下一代极具竞争力的新型存储技术之一,其基础研究也蓬勃发展,但相变存储的机理研究滞后于应用研究。本文在简要介......
美国IBM公司在相变存储（PCM）技术领域取得重大研究突破，在世界上首次实现了单个相变存储单元存储3个比特数据。该项突破有助于降低PCM......
利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜，并用纳米硬度计考察了其抗压性能，同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbT......
美国国际商用机器公司（IBM）和德国内存制造商英飞凌公司宣布，他们将和中国台湾的旺宏公司合作，开发下一代存储技术——相变存储，着眼于......
什么是Uitra Density Optical (UDO)?UD0(Ultra Densuty Optical,超高密度光存储媒体一笔者泽)是下一代的专业的光存储技术,它是一......
新型技术不断涌现，其中：系统虚拟化技术在一台物理机上运行多台虚拟机，提高了资源分配的灵活性和使用效率；相变存储技术利用介质在不同......
提出一种新的相变存储器(PCM)和DRAM混合内存偏向写调度缓冲区页面调度策略(FWLRU)。该策略根据PCM和DRAM在读上区别不大,所以只进......
提出了采用石墨片以强化高温潜热储能系统传热的新结构，并用Fluent软件模拟了该储能系统在释能过程中的瞬态二维传热问题。最后，对影......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
学位
电子信息技术的高速发展和物联网生活的全面普及将人类社会推进到大数据时代,海量复杂信息的存储、传递、处理需求使得电子信息的......
氧化锌(ZnO)因其优异的光电、压电特性而备受瞩目,然而其p型掺杂困难(本征生长呈现n型)已经成为阻碍其广泛应用的障碍。而相变存储......
