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本文综述了制造集成电路(IC)用直拉硅的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术;硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程);大直径硅中新型原生空洞型缺陷;硅外延片与SOI片;太阳电池级硅和大直径直拉硅单晶生长的计算机模拟;硅熔体的物性研究等均进行了论述.
直拉硅的现状与发展
【摘 要】
：
本文综述了制造集成电路(IC)用直拉硅的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术;硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程);大直径硅中新型原生空洞型缺陷;硅外延片与SOI片;太阳电池
【机 构】
：
河北工业大学材料学院,天津,300130
【出 处】
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中国有色金属学会第六届学术年会
【发表日期】
：
2005年10期
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