论文部分内容阅读
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响.
阱垒生长温差对GaN基蓝色多量子阱LED的影响
【摘 要】
：
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响.
【机 构】
：
山东大学晶体材料国家重点实验室,济南市山大南路27号,250100 山东华光光电子有限公司,济南市天辰大街1835号,250101
【出 处】
：
第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009)
【发表日期】
：
2009年期
其他文献
热学和光学设计是半导体照明模组和灯具制作中的关键技术,本报告结合集成光电子学国家重点实验室的相关研究成果对此进行了讨论.
采用带散热片的回路热管作为散热结构,制成了25W和50W的半导体照明光源,以1W级功率LED制成的光源组件工作发光效率达到84.1lm/W和71.8lm/W,3696小时老化衰减小于3％.
近年来,中国房地产市场连续高速发展,房地产业的发展对整个经济的带动作用是显著的,而与此同时,房地产业发展中存在的问题,也已经受到高层决
In recent years, the rapid de
作者研究了具有新型电荷产生连接层的叠层有机电致发光器件,ITO/NPB/AIq3 Mg:Alq3/MoO3:PTCDA/NPB/Alq3/LiF/Al.叠层有机发光器件在电流密度50mA/cm2下的电流效率为4.2 cd/A,
本文主要研究了在蓝光LED芯片表面沉积一层氧化硅介质膜对蓝光LEO光电参数的影响.试验结果表明,沉积有氧化硅介质膜的芯片,其漏电比例明显低;同时沉积氧化硅介质膜对芯片亮度
我们提出了一种在衬底上具有光子晶体高反射界面的垂直发光二极管结构,这种新型的结构可减少光线进入吸光的衬底,有效的提高发光二极管的岛光效率。
利用MOCVD在国产SiC衬底上外延高质量的GaN薄膜.随着SIN缓冲层厚度的增加.GaN或核岛的尺寸减小;当AIN缓冲层是20nm时,GaN的表面原子台吩平行度最好,且此时GaN的黄光带发射较
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧
一种使用两种较环保的红绿蓝发光二极管(R,G,B-LED)与冷阴极荧光灯管(CCFL)为光源,并搭配导光组件的面发光照明灯具的设计开发,我们设计材质为PMMA的导光平板,在导光平板上建
本文主要回顾了LED驱动电源发展历程,分析了驱动电源的重要性、品质和可靠性问题的根本原因,提出了LED驱动电源的品质问题与可靠性问题的保证措施,最后对LED驱动电源的未来发