AlGaN/GaN HEMT不同纵向结构的直流特性仿真

来源 :2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a63685296

【摘要】

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本文采用ISE仿真软件对AlGaN/GaNHEMT的不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369mS/mm,261mS/mm和495mS/mm,最大漏源电流分别为:68

【作者】

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张小玲谢雪松鲁小妹吕长志李志国

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022

【出处】

：

2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

纵向结构直流特性双异质结结构仿真软件温度跨导电流倒置

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本文采用ISE仿真软件对AlGaN/GaNHEMT的不同纵向结构的直流特性进行仿真,得到常规、倒置和双异质结结构的最大跨导分别为369mS/mm,261mS/mm和495mS/mm,最大漏源电流分别为:681.21mA/mm、467.56mA/mm和1004.6mA/mm.其特性随温度的升高而下降.

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