Li+&Ag+and Li+&Cd2+double-ion-doping strategy to improve the efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cell

来源 :第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jingjing17_
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  Ion doping strategy is a promising method to enhance the efficiency of Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)solar cells,however,most of the reported works focus on studying the single ion doping in CZTSSe absorber layers.
其他文献
硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势,在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。
A processing based on CZTS or CZTSe quaternary target sputtering has been developed as alternative one [1-2].As the as-deposited precursor is usually crystallinity-poor and sulfur-poor,heat treatment,
在磁控溅射中单靶溅射具有成本低、影响参数少和制备过程简单易重复等特点,目前在制备磁控溅射靶材制备上的报道较少。热压法制备溅射靶材,需要长时间的高温烧结,这不仅会造成能源的浪费,而且会加大靶材制备的难度。
近年来,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于元素组成绿色丰富、理论最高效率超过30%、极具发展前景而受到了广泛的关注.但是,到目前为止,CZTSSe的最高认证效率仅为12.6%,,不仅远低于理论最高效率,还低于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)(23.35%)和CdTe(22.1%)的最高认证效率.
近年来的一些研究表明,前驱溶液的状态如元素价态、配体分子种类等对于制备高效率铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池而言是至关重要的。本工作中,我们从巯基乙酸(TGA)-氨水溶液体系出发,通过红外、核磁和拉曼技术研究了前驱体溶液中,TGA分子与金属离子之间配位形式和配位结构的衍变过程。
The anomalous optoelectronic properties of quasi-vertical orientated Chalcostibite CuSbS2 thin film synthesized on glass substrate was studied in details.
通过硒化溅射CuInGa 合金靶得到的CIG 合金预制膜是一种制备结晶性良好的CuInGaSe2 吸收层的方法。这种方法能够保证薄膜大面积的均匀性、生产高效率和低成本,但是得到的吸收层比较粗糙。硒化过程中硒的化合会导致薄膜体积的剧烈变化,从而带来较大的表面粗糙度和劣化的CuInGaSe2/CdS 界面性能[1]。
Environmentally benign and potentially cost-effective Sb2Se3 solar cells have drawn much attention by continuously achieving new power conversion efficiency records.
One important bottleneck in the development of Sb2S3 solar cells is the high electrical resistivity ofSb2S3.Our first-principles calculations reveal that the high resistivity results from the compensa
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2)薄膜太阳电池具有效率高、弱光性能好、稳定不衰退等优点,是当前最具有前景的薄膜太阳电池之一.铜铟镓硒薄膜是一种由铜、铟、镓和硒四种元素化合成的四元化合物半导体,其根据不同的Ga/(In+Ga)比,带隙可以在1.04-1.67eV 内连续可调.