基于电子束刻蚀方法制备单肖特基势垒光电二极管及其光电特性研究

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mn6543210
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  利用电子束刻蚀方法(EBL)可以在位地在纳米线的两端蒸镀金属电极,并可以通过调控不同种类、活性的金属对肖特基势垒的界面进行调控,为调控器件性能、制备高性能光电器件提供了良好的途径.对于单肖特基势垒光电二极管,需要纳米线的两个电极接触一端是欧姆接触,另一端是肖特基势垒接触.这需要利用EBL二次刻蚀来完成.而且,肖特基势垒光电二极管的光电流特性与势垒的界面特性密切相关.EBL方法为调控势垒的界面特性、进而调控光电二极管的光电流特性提供了有利的技术手段.
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