器件性能相关论文
有机无机杂化钙钛矿太阳能电池（Perovskite solar cells,PSCs）以其高效的光吸收能力、优异的载流子迁移能力和高的光电转化效率（Power......
热活化延迟荧光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF）材料是许多研究人员用来制备高性能OLED器件的主要选择之一,但TADF......
钙钛矿具有十分优异的光电性能,如发光色纯度高、发光颜色可调、荧光量子产率高等,这些优点推动了钙钛矿在电致发光器件上的应用发......
有机-无机金属卤化物钙钛矿太阳电池（PSCs）由于其高效率、制备工艺简单、成本低等优异的性能而被证明是一种很有应用前景的光伏技术......
异质有机半导体材料是有机半导体材料与器件领域的重要研究方向，其中通过理论计算载流子的传输能力，可以更好地解析分子间电荷转移性......
集成电路的特征尺寸随着摩尔定律的不断缩小是半导体技术进步的一个主要动力。目前已经发展到了14nm的工艺节点，继续缩小将面临物理......
薄膜晶体管(ThinFilmTransistors，TFTs)是有源矩阵显示的核心器件。金属氧化物TFTs由于迁移率高，均匀性好，可见光透明等诸多优点被广......
薄膜晶体管(TFT)是当今平板显示领域中不可或缺的电子元器件之一。随着显示技术向着大尺寸、超高分辨率、3D显示等方向不断发展，传......
量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode, QLED)由于具有独特的优点，例如高色纯度、高稳定性、高分辨率、制造工艺相对......
钙钛矿太阳电池因其具有强吸收、高迁移率、载流子寿命长、可调控带隙以及可采用多种方式加工等优势备受研究者关注,目前钙钛矿太......
量子点具有许多独特的光学特性,因此被广泛应用于固态显示和照明领域。传统的量子点发光二极管(Quantum dot light emitting diode......
钙钛矿太阳能电池具有可溶液加工，低成本，光电特性优异等优点，近十年来飞速发展，目前小面积(......
铅卤钙钛矿因具有可溶液法制备、光色纯度高及缺陷容忍度高等优势，被认为是一种理想的发光材料。然而，现阶段基于铅卤钙钛矿制备的发......
电子元器件是电子元件和电子器件的总称，是各种电子产品和设备的基本构成单元。目前传统的电子元器件制造技术是基于沉积-光刻-蚀刻......
近十年来,钙钛矿太阳能电池的认证光电转换效率(PCE)已快速突破至25.2%,成为下一代低成本、高性价比太阳能电池的有力候选者。得益......
白色有机发光二极管(WOLED)在显示照明行业拥有着很好的应用前景。磷光白光器件由于在制备过程中需要用到贵重金属，导致成本较高，同......
常规卤化物钙钛矿太阳能电池单节效率已经突破25.2%，与硅太阳能电池组成叠层器件的效率更是达到了29.15%，但其商业化进程被器件寿命......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
MEMS压电薄膜超声换能器（PMUT）作为高端超声检测仪器的核心传感部件，是推动工业制造、能源化工、医疗卫生和国防军事等应用领域的典型......
功率器件是电力系统中的核心器件。电力系统功率等级的提高对功率器件的功率等级及可靠性等提出了更高要求。功率器件性能是由芯片......
该文介绍一种用于光纤陀螺信号处理的集成光学器件的研制工作.这是一种工作波长为1.3μm，集分束器、相位调制器和偏振器为一体，采用......
LiNbO3电光调制器是高速光传输系统必不可少的器件,已成为国内外研制开发的热点。目前已取得很大进展,已开发了多种类型的LiNbO3电......
富勒烯及其衍生物是一类重要的n-型电子受体材料,在有机太阳能电池器件中发挥了至关重要的作用.但由于富勒烯材料吸光波长较窄、亲......
合成了三种1,10-邻菲罗啉苯并咪唑衍生物,即2-苯基(4-溴)-咪唑[4,5-f][1,10]-邻菲罗啉(A1),2-苯基(4-甲氧基)-咪唑[4,5-f][1,10]-......
在可见光域（６３２．８ｎｍ光波段）研制出钛扩散铌酸锂质子交换光波导偏振器。同时，给出波导偏振器参数测试装置。在理论上，利用物理光学和波导色散理......
8月29日,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一......
日本罗姆公司与立命馆大学一个合作小组声称,其垂直结构GaN MOSFET可达到比SiC相同器件还要好的性能。该研究小组所研制出的上述晶......
近日,应用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至2......
高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基......
针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子......
对比研究了SiO2、聚酰亚胺薄膜、SiNx/旋涂玻璃(SOG)复合材料等钝化材料对倒装焊深紫外LED器件抑制漏电流恶化、改善器件可靠性的......
N极性GaN材料借助与传统Ga极性GaN极性相反这一特征,以低接触电阻、高2DEG限阈性,在高频、大功率微波晶体管、增强型器件及传感器......
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参......
采用HAT-CN/Cu Pc作为有机电致发光二极管(OLED)蓝光ADN器件的组合空穴注入层(HIL)。通过采用该组合HIL后,在保证器件电流效率不下......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
采用CBP和MCP做主体,分别掺杂磷光铱配合物Ir(piq)2(acac)和FIrpic作为红光发光层和蓝光发光层,研究了红光发光层和蓝光发光层的位......
有机紫外光探测器(Organic Ultraviolet Photodetector,OUV-PD)因质量轻、柔性和成本低等优点已引起广泛关注。以m-MTDATA、NPB和B......
硅基雪崩光电探测器的器件性能与倍增层的掺杂浓度有着密切联系。研究了硅基雪崩光电探测器倍增层的掺杂浓度对雪崩击穿电压和光谱......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
通过在有机发光二极管(OLED)的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDAT......
设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG)。该AWG器件的中心波长为1 550nm,信道间隔为200GHz,采用了脊型波......
利用无机纳米材料与有机聚合物材料相结合的方法制备白光发光二极管器件,研究了蓝光量子点QDs(B)掺杂聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基......
