【摘 要】
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本文设计了一款双高压单片集成MOSFET运算放大器，它适用于静电传感器和静电偏移应用。由于每个放大器所提供的额定电压为350V，输出电流为60mA，对高压压电驱动电路来说该高压运放也是极好的低功耗选择。MOSFET输出使该高压运放避免了二次击穿限制，其功耗维持在最小值，每个放大器静态额定电流只有2mA.该运放用陶瓷封装，有18个管脚，对每个放大器有极好的补偿。
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜和集成器件国家重点实验室 成都 610054 成都华微电子系统有限公司,成都,
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
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本文设计了一款双高压单片集成MOSFET运算放大器，它适用于静电传感器和静电偏移应用。由于每个放大器所提供的额定电压为350V，输出电流为60mA，对高压压电驱动电路来说该高压运放也是极好的低功耗选择。MOSFET输出使该高压运放避免了二次击穿限制，其功耗维持在最小值，每个放大器静态额定电流只有2mA.该运放用陶瓷封装，有18个管脚，对每个放大器有极好的补偿。
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