近期Te化物材料由于其独特的物理化学性质被广泛的研究，并应用在拓扑绝缘体，热电材料，量子器件及光电传感器等研究领域。In2Te3作为一种重要Te化物也已受到大量科学工作者的关注，尤其In2Te3薄膜材料已经在存储器件，热电器件及气体传感器件方面得到了初步的结果，然而，关于In2Te3纳米线的研究尚处空白。
　　本研究首次通过CVD的方法合成了高质量的单晶In2Te3纳米线，并基于此发展了一种从350 nm到1090nm即紫外-可见-近红外宽带光谱光探测器。该探测器具有响应快速、线性输入-输出和宽谱响应等特征。In2Te3纳米线优良的光电特性使之有望成为下一代全谱高性能光探测器及光传感器。此外，通过溶剂热法合成了一维In2Te3纳米结构，并且首次系统地研究了溶剂比例，反应时间及不同表面活性剂等各种反应条件对纳米结构成核生长机制及最终生长形貌的影响。与CVD合成的纳米线结构不同，该结构所具有粗糙的表面使之有可能在气体传感，能量存储方面得到广泛的应用。