2. 您的位置
3. 首页
4. 会议论文
5. 实现1.9微米光荧光发射的GaAs基InAs/GaAs量子点结构

实现1.9微米光荧光发射的GaAs基InAs/GaAs量子点结构

来源 :第二十届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mishier

【作 者】

：

刘珂 马文全 黄建亮 张艳华 曹玉莲 黄文军 罗帅 杨涛 

【机 构】

：

中国科学院半导体研究所,北京市海淀区清华东路甲35号,100083

【出 处】

：

第二十届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2015年3期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

低维量子系统中电子态的数值解法

会议

GaN双异质结高电子迁移率器件

会议

新型AlGaN沟道HEMTs材料生长及器件制备

会议

GaAs中线偏振泵浦的时间分辨克尔谱实验研究

会议

一种泵浦探测显微成像系统

会议

微磁学模拟Co/MgO/FePt结构的自旋阀

会议

禁带可调高质量GaAs1-xSbx纳米线分子束外延生长

会议

InAs半导体纳米线量子点中的电子自旋量子相变

会议

图案Si衬底上低密度有序Ge量子点的可控生长

会议

MoS2/rGO薄层异质结的新奇光电特性

会议