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场发射冷阴极在显示技术、微波能源及高频电子等方面具有十分重要的应用.基于几何增强的spindt尖端及一维材料场发射材料由于发射稳定性或工艺成本等问题限制了其器件应用发展.近年来,半导体薄膜场发射材料引起了人们的关注,但其场发射性能与器件应用尚有差距.基于此,在前期的研究中我们建立起了宽带半导体场发射能带弯曲机制,认为宽带半导体大能带弯曲与负电子亲和势对场发射性能提升具有同样重要的作用[1].