X光三轴衍射分析技术在碲镉汞外延材料中的应用

来源 :2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jyjcccc

【摘要】

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衬底和外延层之间的晶格失配在碲镉汞材料的外延过程中会引起缺陷的增殖,导致外延材料位错密度的增加,严重的会引入"mosaic"结构,常规检测很难观察到晶体中的"mosaic"结构,本

【作者】

：

王庆学魏彦峰方维政杨建荣何力

【机构】

：

中国科学院上海技术物理所材料器件中心(上海)

【出处】

：

2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

衍射分析技术观碲镉汞外延材料分子束外延材料结构晶格失配液相外延材料碲镉汞材料位错密度常规检测外延层增殖运用缺陷晶体衬底

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衬底和外延层之间的晶格失配在碲镉汞材料的外延过程中会引起缺陷的增殖,导致外延材料位错密度的增加,严重的会引入"mosaic"结构,常规检测很难观察到晶体中的"mosaic"结构,本文运用X光三轴衍射技术观察到HgCdTe/ZnCdTe液相外延材料和HgCdTe/CdTe/GaAs分子束外延材料存在的"mosaic"结构,并观察到了碲镉汞外延材料和分子束外延材料"mosaic"结构的差异,同时我们也发现晶格失配并不一定就导致碲镉汞外延材料出现"mosaic"结构.

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