【摘 要】
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GaNHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点.同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛.本文基于南京电子器件研究所GaN HEM
【机 构】
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电子科技大学 电子工程学院,成都 611731
【出 处】
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2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议
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GaNHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点.同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛.本文基于南京电子器件研究所GaN HEMT器件,开展了Ku波段GraNE类功率放大器设计研究.针对GaN HEMT器件较高的输出电容Cds,采用补偿微带的结构减小寄生参数的影响,设计了13.7GHz～ 14.2GHz的GaN E类功率放大器.实测表明,该放大器在连续波输入功率25dBm的情况下,在l3.7GHz～14.2GHz频率范围内漏极效率大于36％,输出功率大于30dBm.
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