氧化锡是一种重要的n型宽禁带(室温时约为3.6eV)金属氧化物半导体材料.因为其优异的电学、光学以及电化学特性,氧化锡在诸如太阳能电池、光电导、场效应晶体管、透明电极、光学及气体传感器等众多领域中都有极大的应用潜力.在众多的氧化锡基材料体系中,氧化锡纳米结构,特别是金属掺杂的氧化锡纳米结构,因其特性可通过其形貌、尺寸以及掺杂金属的种类和浓度进行调控而备受研究者的青睐7.特别是在光催化领域,氧化锡由于其宽带隙特征而难以在占据太阳光谱50％的可见光区有效应用;而且,其光生载流子的快速辐射复合也对其光催化性能不利.因此,对氧化锡进行掺杂显得尤为重要.本文采用一种先还原银纳米颗粒，再将银纳米颗粒置于氧化锡反应体系中的两步溶剂热法合成了不同银掺杂量的氧化锡纳米线。形貌表征表明银的存在对氧化锡纳米线的形成至关重要——无银掺杂时仅有氧化锡纳米颗粒形成。此外，光致发光谱中，以氧空位为发光中心的发光强度随银掺杂量的增加先增强后减弱。这可能是两个过程相互竞争的结果：纳米银的表面等离子共振效应可导致氧化锡光吸收截面的增加从而增强氧化锡的发光；同时，银的引入也促进了氧化锡的结晶从而减少了晶格中氧空位的数量，进而降低了它的发光。