氧化锡纳米线相关论文
氧化锡是一种重要的n型宽禁带(室温时约为3.6eV)金属氧化物半导体材料.因为其优异的电学、光学以及电化学特性,氧化锡在诸如太阳能......
本工作利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的S......
本文报道了一种制备氧化锡纳米线的新方法--热爆形变合成法(TEDS).该方法是一种以铝热剂为主要原料,通过自蔓延高温合成反应将待制......
用表面限制剂对水热法生成的前驱物加以限制生长的方法成功制备了氧化锡纳米线结构，TEM和HRTEM的结果表明该纳米线由沿[001]方向生......
